半導体ウェハ電極上へのバリア層形成プロセス

メルプレート UBMプロセス

薬品
半導体
めっき
EN/EP/IG

メルプレート UBMプロセス

メルプレート UBMプロセスは半導体ウエハ電極上に無電解ニッケルめっき/無電解パラジウムめっき/置換金めっきによりUBM(Under Bump Metal)を形成するプロセスです。

◆製品の特徴
① アルミニウムおよび多様なアルミニウム合金電極へのダメージが少なく、平滑性・バリア性に優れためっき皮膜を形成します。
② 微小電極上への選択性に優れためっきが可能です。
③ 置換金めっき浴はシアンフリーで、成膜後は良好なはんだ接合性・ワイヤボンディング性が得られます。
重金属フリー
販売中

製品詳細

製品名メルプレート UBMプロセス

めっき後電極断面

めっき後電極断面
メルプレート UBMプロセスは、アルミニウムまたはアルミニウム合金電極へのダメージと膜厚減少を抑制しながら、平滑性とバリア性に優れ密着性の良い無電解めっき皮膜を形成します。

Al電極へのNiスパイク抑制

Al電極へのNiスパイク抑制
アルミニウム電極への局部腐食によって、無電解ニッケルめっきの析出がアルミニウム電極内部に潜り込む”ニッケルスパイク”が発生します(写真左)。メルプレートUBMプロセスは、アルミニウム電極の局部腐食抑制に特化した第1ジンケート処理と、無電解ニッケルめっきの密着性向上に寄与する第2ジンケート処理の組み合わせにより、ニッケルスパイクを生じずに良好な密着性を有する無電解ニッケルめっき皮膜を成膜します。

平滑なめっき皮膜形成

平滑なめっき皮膜形成
従来プロセスでは、電極を形成するアルミニウム合金の種類によってはジンケート処理における亜鉛置換の均一性が劣るために、無電解ニッケルめっき後の電極表面形状の凹凸が顕著になる場合がありました。メルプレート UBMプロセスでは前処理プロセスの最適化を通じて様々なアルミニウム合金電極素材に対して均一で緻密な亜鉛置換を実現することにより、平滑な無電解めっき皮膜の成膜を可能にしました。
また、電極金属へのアタックを最小限に抑えることにより膜厚減少を抑制できます。

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