UBM形成プロセス用ノーシアンタイプ置換金めっき液
メルプレート AU-7770
薬品
半導体
めっき
金
メルプレート AU-7770
メルプレート AU-770は半導体Alパッド上へのUBM形成プロセスにおいて使用される、無電解ニッケルめっき皮膜または無電解パラジウムめっき皮膜上へのノーシアンタイプ置換金めっき液です。
毒物であるシアン化合物を含有しておらず、作業の安全性に配慮した環境負荷の少ないめっき薬品です。無電解ニッケル皮膜または無電解パラジウム皮膜上に0.04～0.06 μm/10分の置換金めっきを成膜可能です。下地無電解ニッケルめっき皮膜の浸食が少なく、均一な金めっき皮膜が得られます。
毒物であるシアン化合物を含有しておらず、作業の安全性に配慮した環境負荷の少ないめっき薬品です。無電解ニッケル皮膜または無電解パラジウム皮膜上に0.04～0.06 μm/10分の置換金めっきを成膜可能です。下地無電解ニッケルめっき皮膜の浸食が少なく、均一な金めっき皮膜が得られます。
シアンフリー
ニッケル皮膜上への析出速度
下地ニッケル皮膜の局部腐食を効果的に抑制しながら置換金めっきを成膜します。
パラジウム皮膜上への析出速度
パラジウム皮膜上においても優れた置換反応性を有し、めっき時間に対して線形的に析出膜厚が増加します。
下地ニッケル皮膜の浸食抑制
EN/EP/IGの皮膜構成の場合、金の置換析出過程において、電極端部でニッケルとパラジウムの電極電位差に起因するニッケルの優先的な溶解（ガルバニック腐食）を生じ、ニッケル皮膜層が浸食されます（写真上：reference）。
メルプレート AU-7770ではガルバニック腐食を効果的に抑制し、下地ニッケル層を浸食することなく置換金めっきを成膜できます。
メルプレート AU-7770ではガルバニック腐食を効果的に抑制し、下地ニッケル層を浸食することなく置換金めっきを成膜できます。