为确保接合可靠性的无电镀镍

　当通过凸点将半导体芯片连接到封装基板时，UBM（Under Bump Metal 或 Under Barrier Metal 的缩写） 会在芯片上的铝电极与焊料之间形成，作为阻挡层以抑制相互扩散。 为了在焊接过程中确保阻挡性能和表面保护，UBM 通常采用镍/金或镍/钯/金的结构。 近年来，功率半导体趋向于更高电压和更大电流，其工作温度也不断升高，因此对镀层提出了更高的耐热性要求。 传统的化学镀镍膜在高温下有时会出现裂纹，因此需要改进。 此外，与逻辑半导体相比，功率半导体的电极尺寸更大，因此更适合使用针对功率半导体优化的化学镀镍液，以获得优良的镀层质量。

　我们开发了一种适用于功率半导体并具有高耐热性的化学镀镍液——Melplate NI-869A。

     Melplate NI-869A 具有以下特点

• ・优异的抗裂性能：在 360°C 热处理 3 分钟后无裂纹产生
• ・镀层厚度面内变化极小
• ・焊接界面处的镍层减少量极小

　在 360°C 热处理 3 分钟 后，传统化学镀镍液中的镀层会产生裂纹，导致连接可靠性无法保证。 而 Melplate NI-869A 镀层即使经过热处理也不会出现裂纹。 传统的化学镀镍液在镀覆后形成的是非晶结构，但在热处理过程中会发生再结晶等结构变化。 然而，Melplate NI-869A 镀层在热处理后晶体结构几乎没有变化，因此即使经过热处理也能有效抑制裂纹的产生。

　除了具有优异的耐热性外，Melplate NI-869A 在晶圆表面也展现出出色的镀层厚度均匀性。 通常，化学镀镍的沉积速率会受到搅拌的影响，搅拌强度的变化会导致镀层厚度的不均匀。 为了实现均匀的镀层厚度，不仅需要改进镀液本身，还需要优化设备设计。 Melplate NI-869A 通过其镀液特性，最大限度地降低了搅拌对镀速的影响，从而显著减少了面内厚度的变化。

　Melplate NI-869A 是一款专为功率半导体优化的化学镀镍液，具有高耐热性和用于 UBM 形成的高镀层厚度均匀性。我们的 Melplate UBM 工艺可作为前处理使用。(→Reference link）Melplate UBM 工艺可用于对各种铝合金电极进行化学镀镍前处理，几乎不会造成损伤。