用于芯片元件的中性电镀工艺

　片式元件的端子采用铜或银浆形成，并镀上镍或锡，以便安装在印刷电路板上。使用滚镀（barrel plating）是最常见的电镀方法。为了确保每个片式元件端子的导通性，在电镀时会将一种称为“假球”的金属球与元件一同放入滚筒中进行电镀。 

　在片式元件的表面处理过程中，已知会出现以下问题。

• 　　①　由于漂浮导致小型片式元件未镀层
• 　　②　由于材料腐蚀导致电气特性劣化
• 　　③　片式元件之间相互粘连（双重粘附）
• 　　④　由于锡须导致安装后发生短路

　Meltex 开发了一种可解决这些问题的“中性电镀工艺”。

　小型片式元件容易漂浮在水面上，可能无法沉入电镀液中。如果元件未能沉入电镀液，就无法进行电镀，从而导致未镀层缺陷。.

　　在 Meltex 的片式元件中性电镀工艺中，为防止小型元件漂浮及仅有镀层沉积的问题，在电镀镍之前会进行亲水处理。

　根据片式元件的类型，其材料可能对酸或碱敏感，在电镀液中发生腐蚀。当材料被腐蚀时，镀层可能从电极处外延生长，或者电气特性发生异常变化。

　Meltex 的片式元件中性电镀工艺通过在整个过程中保持电镀液的 pH 值接近中性，从而最大限度地减少元件材料的腐蚀。

　在电镀锡过程中，随着电镀的进行，元件之间可能发生粘连，导致双重粘附以及假球的聚集。这种粘连可能导致仅有镀层沉积、膜厚不均，从而提高不良率。

　Meltex 的中性片式元件电镀工艺通过调整电镀液成分，有效防止元件粘连，从而有助于降低不良率。

　Whiskers can be generated from the tin plating film due to environmental changes after parts are mounted, causing short circuits and other problems in the circuit.

　Meltex's electroplating process for neutral chip components uses proprietary technology to create a plating film that is less prone to whisker generation.

Meltex的芯片元件中性电镀工艺具有以下特点

• ・整个工艺过程保持中性，最大限度地减少材料腐蚀，适用于所有类型的无源元件。
• ・镀镍膜均匀，无小零件漂浮现象。
• ・在镀镍过程中使用的硼含量不到传统产品的一半。
• ・几乎不产生晶须。
• ・晶须生成极少 —— 可最大限度减少产品的二次粘附和介质的聚集。