MSAP用种子层蚀刻液

　在采用半加成法（SAP）或改良半加成法（MSAP）进行电路形成时，干膜剥离后，基板上会残留铜种子层。通过蚀刻该铜种子层，可以形成绝缘的独立电路。目前，主流的蚀刻液是硫酸-过氧化氢体系，但由于过氧化氢的存在，仍存在化学稳定性问题；此外，不同金属或氯元素的污染也会影响蚀刻速度控制，同时对铜图形的保护性能也存在挑战。 此外，为了提高连接可靠性并降低传输损耗，对减少侧蚀和提高电路表面平滑度的需求也日益增强。 

　传输损耗由两部分组成：一是与绝缘层介电常数相关的介质损耗，二是与导体表面平滑度相关的导体损耗。其中，导体损耗受信号频率影响较大，这是由于趋肤效应所致。趋肤效应是指在高频下，电信号主要沿导体表面传输的现象。 如果导体表面不平整，信号路径会变长，从而导致传输损耗增加。因此，为了降低导体损耗，电路表面必须保持平滑。　

　在MSAP工艺中，传统使用的硫酸-过氧化氢蚀刻液作为种子层蚀刻液，存在容易在电路表面产生凹坑的问题。这会导致电路表面平整度降低，从而可能增加传输损耗。此外，该化学品还可能渗入基板与电路之间的界面，造成侧蚀现象。

　因此，我们开发了一种不使用过氧化氢的蚀刻液，能够实现电路表面的平滑蚀刻。Melstrip SE-400 是一种以铁为氧化剂的铜种子层蚀刻液，具有以下特点

• ・用于MSAP铜箔种子层的蚀刻液
• ・蚀刻后可获得矩形铜线路。
• ・即使过度蚀刻，也能保持矩形形状。
• ・蚀刻后铜表面光滑平整
• ・铁系蚀刻液不会自我分解，即使在中断后也易于管理和控制溶液状态。

　T我们测量了蚀刻过程中表面粗糙度的变化。使用硫酸-过氧化氢蚀刻液时，表面粗糙度会增加；而使用 SE-400 时，蚀刻后仍能保持铜表面的平滑性。

　Meltstrip SE-400 不仅保持电路表面的平滑性，还能实现无凹陷的矩形电路形状。