電子部品用薬品

工程 用途 製品名
前処理 浸漬脱脂剤・脱錆剤
  • クリーナー 160

    ・鉄、銅・銅合金、マグネシウム、亜鉛ダイキャスト
    ・一般用乳化タイプのアルカリ脱脂剤。
    ・連続めっき装置用低発泡タイプの160S、160SWもある。

  • エンボンド CA-S

    ・鉄、銅・銅合金用。
    ・低温タイプのアルカリ脱脂剤。浸漬でも使用可能。
    ・モールド樹脂の膨潤作用有り。
    ・排水処理が容易。

  • エンボンド Q-547

    ・鉄、銅・銅合金用。
    ・乳化分離浮上の長寿命タイプのアルカリ脱脂剤。
    ・浸透性が良く、厳しい油汚れも除去可能。

電解脱脂剤・脱錆剤
  • エンドックス 109

    ・鉄用アルカリ電解脱錆剤。
    ・錆、スケール、スマットの除去及び強力な洗浄効果もある。

  • エンボンド CA

    ・鉄、銅・銅合金用。
    ・低温タイプのアルカリ脱脂剤。浸漬でも使用可能。

  • エンボンド CA-S

    ・鉄、銅・銅合金用。
    ・低温タイプのアルカリ脱脂剤。浸漬でも使用可能。
    ・モールド樹脂の膨潤作用有り。
    ・排水処理が容易。

  • エンボンド Q-547

    ・鉄、銅・銅合金用。
    ・電解脱脂とともに錆、熱スケール、カーボンスマットの除去もできる。

活性化剤
  • アクタン 70

    ・アルミニウム、マグネシウム合金、チタン、各種金属用
    ・フッ化物含有固形酸タイプの活性剤。
    ・アルミニウム合金のスマットを完全に除去できる。

  • アクタン 85

    ・銅・銅合金、亜鉛ダイキャスト、鉄・鉄合金用。
    ・ノンフッ化固形酸タイプの活性化剤。
    ・ろう付けされた鋼の活性化、鋼のピックリングに使用可能。

  • ブライトディップ 3

    ・ステンレス、42材、コバール材用。
    ・42材、コバール材リードフレームおよびステンレスの化学研磨、活性化、酸化皮膜除去が可能。
    ・エッチング速度 0.3~0.4μm/分(42材)

  • アクタン 97

    ・鉄、銅・銅合金、アルミ等の非鉄金属及び合金
    ・金属ピックリング剤。
    ・熱処理スケール、酸化物、スマットを除去。

  • アクタン AAA

    ・各種金属用。
    ・酸性活性化剤用湿潤剤。
    ・ミストの飛散を防止する。

  • アクタン 83

    ・銅・銅合金、亜鉛ダイキャスト、鉄・鉄合金
    ・ノンフッ化固形酸タイプの活性化剤。
    ・ろう付けされた鋼の活性化、鋼のピックリングに使用可能。

化学研磨剤
  • メルアクチ 70M

    ・銅・銅合金用。
    ・銅系材化学研磨剤用添加剤。
    ・ケイ素系銅合金のスマットを除去可能。

  • メルポリッシュ FN-71

    ・42材リードフレームの内装めっき用化学研磨剤。
    ・フッ化物、過酸化水素を含まない。
    ・エッチング速度 0.9~1.1μm/分(42材)

  • ブライトディップ 3

    ・ステンレス、42材、コバール材用。
    ・42材、コバール材リードフレームおよびステンレスの化学研磨、活性化、酸化皮膜除去が可能。
    ・エッチング速度 0.3~0.4μm/分(42材)

  • メルポリッシュ FN-72

    ・42材リードフレームの外装めっき用化学研磨剤。
    ・プレスバリ、挽き目を除去できる。
    ・エッチング速度 2.5μm/分(30秒、45℃)

  • メルポリッシュ FN-134

    ・42材リードフレームの外装めっき用化学研磨剤。
    ・フッ化物(ハロゲン)、過酸化水素、リンを含まない。
    ・エッチング速度 2.5μm/分(標準条件)

  • メルポリッシュ カパー 58

    ・バッチタイプの銅、銅合金用化学研磨剤。
    ・硝酸・リン酸浴。キリンスに比べ亜硝酸ガスの発生が少ない。
    ・エッチング速度 1.5~2.0μm/分(50℃)

  • メルポリッシュ カパー 60

    ・リールトゥリール用銅材化学研磨剤。
    ・フッ化物(ハロゲン)、過酸化水素、リン、窒素を含まない。
    ・エッチング速度 0.9μm/分(45℃)

  • メルポリッシュ カパー 61

    ・リールトゥリール用銅材化学研磨剤。
    ・フッ化物(ハロゲン)、過酸化水素、リン、窒素、キレート剤を含まない。
    ・エッチング速度 0.9μm/分(45℃)

  • メルポリッシュ CU-67

    ・銅系リードフレーム用光沢タイプの化学研磨剤。
    ・フッ化物(ハロゲン)、過酸化水素、リン、窒素、キレート剤を含まない。
    ・エッチング速度 3μm/分(50℃)

  • メルポリッシュ CU-1210

    ・銅・銅合金用。
    ・金めっき後の耐食性が向上。
    ・フッ化物、過酸化水素を含まない。
    ・エッチング速度 1.2μm/分(銅合金板)

  • メルポリッシュ CU-1220

    ・銅・銅合金用。
    ・金めっき後の耐食性が向上。
    ・フッ化物、過酸化水素を含まない。
    ・エッチング速度 2.7μm/分(銅合金板)

  • メルポリッシュ CU-1211

    ・銅・銅合金用。
    ・金めっき後の耐食性が向上。
    ・フッ化物、過酸化水素を含まない。
    ・エッチング速度 0.6μm/分(銅合金板)

  • メルポリッシュ CU-1211(M)

    ・銅・銅合金用。
    ・金めっき後の耐食性が向上。
    ・フッ化物、過酸化水素を含まない。
    ・低発泡タイプでリードフレームのめっき前処理にも使用できる。
    ・エッチング速度 1.5μm/分 (45℃)

その他
  • メルディップ 1200

    ・素材 銀ペースト, 銅ペースト(電子部品)
    ・親水化処理剤 (0603サイズ以下の電子部品の浮遊を防止)。
    ・ニッケルめっき浴に混入しても活性炭濾過で除去できる。

はく離 めっきはく離剤
  • エンストリップ S液

    【はく離金属】 ニッケル、カドミウム、亜鉛、漏れ銀、銅・銅合金、すず
    【素地】 鉄

    ・シアン系(アルカリ性)。
    ・はく離速度 Ni 0.5μm/分、Cu 1μm/分

  • メルストリップ N-950

    【はく離金属】 ニッケル
    【素地】 銅・銅合金

    ・硫酸系(酸性)。
    ・はく離速度 Ni 3.0μm/分、Cu 0.1μm/分

  • メルストリップ HN-841

    【はく離金属】 ニッケル
    【素地】 銅、銅合金

    ・硝酸-フッ素-過酸化水素系(酸性)。
    ・チタン薄膜、モリブデン・タングステン合金の活性化にも使用可能。
    ・はく離速度 Ni 1μm/分(40℃)

  • メルストリップ TL-3400

    【はく離金属】 すず、すず合金(鉛フリーも可)
    【素地】 銅・銅合金

    ・硝酸系(酸性)。
    ・フッ素、過酸化水素を含まない。
    ・はく離速度 Sn-Pb 8μm/分、Sn-Ag 3μm/分
     Sn-Bi 5μm/分、Sn-Cu 8μm/分、下地溶解速度 0.2μm/分

  • メルストリップ HN-844

    【はく離金属】 すず、すず合金(鉛フリーも可)
    【素地】 銅合金

    ・有機酸系(酸性)。
    ・フッ素、過酸化水素を含まない。
    ・はく離速度 2~4μm/分、下地溶解速度 0.1μm/分

    ※日本国内用

  • メルストリップ HN-980

    【はく離金属】 すず、すず合金(鉛フリーも可)
    【素地】 42材、鉄、ニッケル合金

    ・有機酸系(酸系)。
    ・フッ素、過酸化水素を含まない。
    ・はく離速度 2~10μm/分、下地溶解速度 0.01μm/分

    ※日本国内用

  • エンストリップ TLコンク液

    【はく離金属】 すず、鉛、すず-鉛合金
    【素地】 銅、銀、鉄、ニッケル、ステンレス

    ・有機酸系(アルカリ性)
    ・シアンフリー。
    ・はく離速度 4~6μm/分

  • エンストリップ TL-105

    【はく離金属】 すず、鉛、すず-鉛合金
    【素地】 銅

    ・フッ素系(酸性)。
    ・はく離速度 2~3μm/分、下地溶解速度 0.2μm/分

  • エンストリップ TL-106

    【はく離金属】 すず、鉛、すず-鉛合金
    【素地】 銅

    ・フッ素系(酸性)。
    ・スプレーで使用可能。
    ・はく離速度 2~3μm/分、下地溶解速度 0.5μm/分

  • エンストリップ TL-142コンク

    【はく離金属】 すず-鉛合金
    【素地】 銅

    ・フッ素化-過酸化水素水系(酸性)
    ・プリント基板上の半田はく離に最適。
    ・はく離速度 15μm/分(浸漬)、40~60μm/分(スプレー)

  • アグリップ 940

    【はく離金属】 銀
    【素地】 銅・銅合金、鉄-ニッケル合金

    ・酢酸-過酸化水素系(酸性)。
    ・はく離速度 2.5~3μm/分

  • メルストリップ A-965

    【はく離金属】 銅、金、リードフレームの漏れ銀
    【素地】 鉄、ニッケル、ステンレス、42材

    ・シアン系 (アルカリ性)。
    ・銅ストライクの同時剥離可能。
    ・漏れ銀剥離速度 0.3μm/分、金剥離速度 1.3μm/分、銅剥離速度 0.8μm/分

  • エンストリップ AU-78M

    【はく離金属】 金
    【素地】 鉄、ニッケル、銅・銅合金

    ・シアン系(アルカリ性)。
    ・はく離速度 0.2~0.4μm/10分(65℃)

  • メルストリップ AU-3160

    【はく離金属】 漏れ金、金
    【素地】 鉄、ニッケル、銅・銅合金

    ・シアン系 (アルカリ性)
    ・RoHS指令対象物質を含まない。
    ・剥離速度 (漏れ金剥離仕様) 0.03~0.1μm/分
    ・剥離速度 (金剥離仕様) 0.2~0.4μm/分

  • メルストリップ AU-3170

    【はく離金属】 金
    【素地】 鉄、ニッケル、銅・銅合金

    ・鉛フリーシアン系(アルカリ性)。
    ・はく離速度 0.7μm/分

  • エンストリップ Q-592

    【はく離金属】 金-ニッケル合金、治具上の銅、ニッケル、金
    【素地】 ステンレス、ピアノ線

    ・硝酸系(酸性)
    ・はく離速度 Au 0.4μm/分、Ni 10μm/分、Cu 25μ/分

  • メルストリップ HN-844(海外用)

    【はく離金属】 すず、すず合金(鉛フリーも可)
    【素地】 銅合金

    ・有機酸系(酸性)。
    ・フッ素、過酸化水素を含まない。
    ・はく離速度 2~4μm/分、下地溶解速度 0.1μm/分

  • メルストリップ HN-980(海外用)

    【はく離金属】 すず、すず合金(鉛フリーも可)
    【素地】 42材、鉄、ニッケル合金

    ・有機酸系(酸系)。
    ・フッ素、過酸化水素を含まない。
    ・はく離速度 2~10μm/分、下地溶解速度 0.01μm/分

めっき 電気ニッケルめっき薬品
  • メルブライト NI-2226

    ・バレル用電気ニッケルめっき薬品。
    ・中性浴のため、セラミックス素材や低融点ガラスをほとんど侵食せずにめっきが可能。
    ・めっきの延びを抑制し、かつ弱い圧縮応力のめっき皮膜が得られる。

無電解銅めっき薬品
  • メルプレート CU-7430

    ・厚付け無電解銅めっき浴。
    ・抵抗値の低いめっき皮膜が得られる。
    ・析出速度 2μm/30分

無電解ニッケルめっき薬品
  • メルプレート NI-2250

    【タイプ】 鉛フリー  【リン含有率】 4~6%

    ・鉛フリー低中リン浴。
    ・耐食性、光沢性良好。
    ・浴老化による光沢変化が少ない。
    ・析出速度 16~20μm/hr

  • メルプレート NI-2752LF

    【タイプ】 鉛フリー  【リン含有率】 9~11%

    ・鉛フリー中高リン浴。
    ・耐食性、光沢性良好。
    ・析出速度 13~16μm/hr

  • エンプレート NI-426

    【タイプ】 重金属フリー  【リン含有率】 1~3%

    ・重金属フリー低リン浴。
    ・皮膜は高硬度、低応力、低電気抵抗と優れたはんだ濡れ性を備える。
    ・析出速度 20~24μm/hr

  • メルプレート NI-2299MF

    【タイプ】 重金属フリー  【リン含有率】 10~12%

    ・重金属フリー高リン浴。
    ・耐食性に優れる。
    ・析出速度 14~17μm/hr

  • メルプレート NI-867

    【リン含有率】 7~9%

    ・中リン浴。
    ・ガラス、ITO用低応力浴。ナトリウムフリー浴。
    ・析出速度 約5μm/hr (70℃)

Passive用めっき薬品
  • メルプレート SN-2680

    Passive用(汎用タイプ)(バレル用/遠心用)

    ・ 中性浴(pH5~8)で様々な種類のチップ部品に適用可能。
    ・ 比較的高い浴温度 (25~45℃)、電流密度 (0.07~0.5A/dm2)での
      使用可能。
    ・ 低発泡性 (BS浴)であり、遠心タイプの装置で使用可能。
    ・ ウイスカーの発生が少ない。
    ・ 4価すずの沈殿生成が少なく、浴安定性に優れる。
    ・ 製品の2枚付着及びメディアの凝集を抑制。

  • メルプレート SN-2680 BK

    Passive用(低電流タイプ)(バレル用/遠心用)

    ・ 低電流密度(0,02~0.15A/dm2)でも平滑なすず皮膜が得られる。
    ・ 酸性浴(PH4.5-5.3)セラミック素材への浸食性が少ない。
    ・ 低発泡性であり、遠心タイプの装置で使用可能。
    ・ ウイスカーの発生が少ない。
    ・ 4価すずの沈殿生成が少なく、浴安定性に優れる。
    ・ 製品の2枚付着及びメディアの凝集を抑制。

  • メルプレート SN-2680 BF-1

    Passive用(高電流タイプ)(バレル用)

    ・ 比較的高い電流密度(0.25~0.75A/dm2)での使用可能。
    ・ 様々な種類のチップ部品に適用可能。
    ・ 製品の2枚付着及びメディアの凝集を抑制。
    ・ ウイスカーの発生が少ない。
    ・ 4価すずの沈殿生成が少なく、浴安定性に優れる。

錫めっき薬品
後処理 変色防止剤
  • メルディップ CU-5600

    【素材】 銅・銅合金

    ・銅および銅合金の一次防錆剤。
    ・メタノール等の溶剤を含有していない。

  • メルディップ AG-6801

    【素材】 銀

    ・銀の変色防止剤。
    ・半田濡れ性の低下抑制。

ITOガラス上のめっきプロセス ITO上のめっきプロセス
ガラス上のめっきプロセス

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